國元創投秉持“價值投資”理念，緊跟國家戰略步伐，重點關注主流賽道，圍繞核心技術國產替代的大邏輯，積極布局第三代半導體，挖掘優質企業。

8月26日，國元創投投資的企業——安徽格恩半導體有限公司在六安舉辦氮化鎵激光芯片產品發布會并取得圓滿成功。本次會議發布了十多款令人期待的氮化鎵激光芯片產品，包括藍光、綠光及紫光等系列，這些產品的關鍵性能指標已達到國外同類產品的先進水平，充分展示了格恩半導體在氮化鎵激光芯片領域的超強技術實力和國內領先地位。本次發布會標志著格恩半導體已成為國內可以規模量產氮化鎵激光芯片的企業。

本次發布會受到了行業內外的高度重視，中國科學院院士、南昌大學副校長江風益，俄羅斯工程院外籍院士、國際信息顯示學會執委會委員兼秘書長、福州大學特聘教授、博導嚴群，國家科技部高新技術司原調研員曹學軍，中關村半導體照明工程研發及產業聯盟秘書長阮軍，安徽省光電子科學與技術重點實驗室副主任、中國科學技術大學教授、合肥全色光顯科技股份有限公司董事長許立新等專家學者；安徽省科技廳副廳長李國陽，安徽省經信廳副廳長王燈明，市、區領導潘東旭、霍紹斌、林松、張運、王煥成及省直、市直、區直有關單位主要負責人；安徽格恩半導體有限公司董事長闞宏柱、總經理李水清及近百位客戶代表共200余人出席產品發布會，共同見證國內氮化鎵激光芯片領域這一重要時刻。

格恩半導體自成立起，集中優勢資源力量，攻克了一系列技術難點，解決了氮化鎵激光芯片“卡脖子”問題， 目前，格恩半導體已具備覆蓋氮化鎵激光器結構設計、外延生長、芯片制造、封裝測試全系列工程技術能力和量產制造能力，擁有國際領先的半導體研發與量產設備500余臺，以及業內領先的產品研發平臺和自動化生產線。

本次發布會的舉辦，意味著我國在氮化鎵激光芯片領域已真正實現突破，打破了被國外企業長期壟斷的局面，填補了國內氮化鎵激光芯片產業化空白，在我國半導體激光器的發展史上具有里程碑的意義。